据外媒报道，半导体专家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅（SiC）肖特基二极管，进入高功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓（GaN）FET值得信赖的供应商，此次新品推出是该公司的一项战略举措， 以扩展其高压宽带隙半导体器件产品。
Nexperia的首款SiC肖特基二极管具有650 V重复峰值反向电压（VRRM）和10 A连续正向电流（IF），旨在将超高性能和高效率与功率转换应用中的低能量损耗相结合。该二极管具有高压兼容实2引脚（R2P）封装的额外优势，以及更高爬电距离，因此可以选择表面贴装（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔（TO-220-2，TO-247-2)）设备。工程样品可应要求提供，且公司计划于2022年第二季度发布完整产品。Nexperia计划不断增加其SiC二极管的产品组合，使其所有72款产品的运行电压水平为650 V和1200 V，且电流范围为6到20 A。
随着全球能源意识日益增强，市场对具有卓越效率和功率密度的高功率应用的需求不断增长。Nexperia双极分立器件事业部总经理Mark Roeloffzen表示：“氮化镓和碳化硅等宽带隙半导体可以很好地满足大批量应用的严格需求，有望实现更高的效率、更大的功率密度，并为OEM降低系统成本和运营成本。Nexperia多样化的SiC二极管组合将为该市场带来更多的选择和可用性。”
Nexperia的SiC肖特基二极管最初将用于工业和消费类应用，包括：开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源（UPS）、光伏逆变器。Nexperia还计划发布用于车辆电气化应用的车规级设备，例如：车载充电器（OBC）；逆变器；高压DC-DC转换器。
